Synthesis and characterization of InGaAs nanowires grown by MOCVD
Semiconductor nanowires have been intensively investigated in order to study their unique fundamental and application properties that develop at the nano-scale. One of main problems in the growth of III-V semiconductor nanowire is uniformity both of in dimension and composition of chemical elements....
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Veröffentlicht in: | Journal of physics. Conference series 2013-01, Vol.423 (1), p.12047-5 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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