CONTACT FORMATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

A method of forming a liner (and resultant structure) in a contact for a semiconductor device includes depositing a first layer (201) of refractory metal, annealing the first layer, and sputter depositing a second layer (501) of refractory metal or a compound or an alloy thereof, over the first laye...

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Hauptverfasser: MURPHY, WILLIAM, JOSEPH, MILES, GLEN, LESTER, LANZEROTTI, LOUIS, VANSLETTE, DANIEL, SCOTT, MANN, RANDY, WILLIAM
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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creator MURPHY, WILLIAM, JOSEPH
MILES, GLEN, LESTER
LANZEROTTI, LOUIS
VANSLETTE, DANIEL, SCOTT
MANN, RANDY, WILLIAM
description A method of forming a liner (and resultant structure) in a contact for a semiconductor device includes depositing a first layer (201) of refractory metal, annealing the first layer, and sputter depositing a second layer (501) of refractory metal or a compound or an alloy thereof, over the first layer. Un procédé de formation d'un revêtement (et la structure résultante) dans un contact destiné à un dispositif à semi-conducteurs consiste à déposer une première couche de métal réfractaire, à recuire la première couche et à déposer par pulvérisation cathodique une deuxième couche de métal réfractaire ou d'un composé ou encore d'un alliage de ce dernier, sur ladite première couche.
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Un procédé de formation d'un revêtement (et la structure résultante) dans un contact destiné à un dispositif à semi-conducteurs consiste à déposer une première couche de métal réfractaire, à recuire la première couche et à déposer par pulvérisation cathodique une deuxième couche de métal réfractaire ou d'un composé ou encore d'un alliage de ce dernier, sur ladite première couche.</description><edition>7</edition><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2003</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20031016&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=02080267A3$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20031016&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=02080267A3$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MURPHY, WILLIAM, JOSEPH</creatorcontrib><creatorcontrib>MILES, GLEN, LESTER</creatorcontrib><creatorcontrib>LANZEROTTI, LOUIS</creatorcontrib><creatorcontrib>VANSLETTE, DANIEL, SCOTT</creatorcontrib><creatorcontrib>MANN, RANDY, WILLIAM</creatorcontrib><title>CONTACT FORMATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE</title><description>A method of forming a liner (and resultant structure) in a contact for a semiconductor device includes depositing a first layer (201) of refractory metal, annealing the first layer, and sputter depositing a second layer (501) of refractory metal or a compound or an alloy thereof, over the first layer. 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