CONTACT FORMATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
A method of forming a liner (and resultant structure) in a contact for a semiconductor device includes depositing a first layer (201) of refractory metal, annealing the first layer, and sputter depositing a second layer (501) of refractory metal or a compound or an alloy thereof, over the first laye...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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creator | MURPHY, WILLIAM, JOSEPH MILES, GLEN, LESTER LANZEROTTI, LOUIS VANSLETTE, DANIEL, SCOTT MANN, RANDY, WILLIAM |
description | A method of forming a liner (and resultant structure) in a contact for a semiconductor device includes depositing a first layer (201) of refractory metal, annealing the first layer, and sputter depositing a second layer (501) of refractory metal or a compound or an alloy thereof, over the first layer.
Un procédé de formation d'un revêtement (et la structure résultante) dans un contact destiné à un dispositif à semi-conducteurs consiste à déposer une première couche de métal réfractaire, à recuire la première couche et à déposer par pulvérisation cathodique une deuxième couche de métal réfractaire ou d'un composé ou encore d'un alliage de ce dernier, sur ladite première couche. |
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Un procédé de formation d'un revêtement (et la structure résultante) dans un contact destiné à un dispositif à semi-conducteurs consiste à déposer une première couche de métal réfractaire, à recuire la première couche et à déposer par pulvérisation cathodique une deuxième couche de métal réfractaire ou d'un composé ou encore d'un alliage de ce dernier, sur ladite première couche.</description><edition>7</edition><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2003</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20031016&DB=EPODOC&CC=WO&NR=02080267A3$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20031016&DB=EPODOC&CC=WO&NR=02080267A3$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MURPHY, WILLIAM, JOSEPH</creatorcontrib><creatorcontrib>MILES, GLEN, LESTER</creatorcontrib><creatorcontrib>LANZEROTTI, LOUIS</creatorcontrib><creatorcontrib>VANSLETTE, DANIEL, SCOTT</creatorcontrib><creatorcontrib>MANN, RANDY, WILLIAM</creatorcontrib><title>CONTACT FORMATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE</title><description>A method of forming a liner (and resultant structure) in a contact for a semiconductor device includes depositing a first layer (201) of refractory metal, annealing the first layer, and sputter depositing a second layer (501) of refractory metal or a compound or an alloy thereof, over the first layer.
Un procédé de formation d'un revêtement (et la structure résultante) dans un contact destiné à un dispositif à semi-conducteurs consiste à déposer une première couche de métal réfractaire, à recuire la première couche et à déposer par pulvérisation cathodique une deuxième couche de métal réfractaire ou d'un composé ou encore d'un alliage de ce dernier, sur ladite première couche.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2003</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNBy9vcLcXQOUXDzD_J1DPH09wOxFIJdfT2BMi6hziFAnotrmKezKw8Da1piTnEqL5TmZlB0cw1x9tBNLciPTy0uSExOzUstiQ_3NzAysDAwMjN3NDYmRg0AYuUk5A</recordid><startdate>20031016</startdate><enddate>20031016</enddate><creator>MURPHY, WILLIAM, JOSEPH</creator><creator>MILES, GLEN, LESTER</creator><creator>LANZEROTTI, LOUIS</creator><creator>VANSLETTE, DANIEL, SCOTT</creator><creator>MANN, RANDY, WILLIAM</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20031016</creationdate><title>CONTACT FORMATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE</title><author>MURPHY, WILLIAM, JOSEPH ; MILES, GLEN, LESTER ; LANZEROTTI, LOUIS ; VANSLETTE, DANIEL, SCOTT ; MANN, RANDY, WILLIAM</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO02080267A33</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2003</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MURPHY, WILLIAM, JOSEPH</creatorcontrib><creatorcontrib>MILES, GLEN, LESTER</creatorcontrib><creatorcontrib>LANZEROTTI, LOUIS</creatorcontrib><creatorcontrib>VANSLETTE, DANIEL, SCOTT</creatorcontrib><creatorcontrib>MANN, RANDY, WILLIAM</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MURPHY, WILLIAM, JOSEPH</au><au>MILES, GLEN, LESTER</au><au>LANZEROTTI, LOUIS</au><au>VANSLETTE, DANIEL, SCOTT</au><au>MANN, RANDY, WILLIAM</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>CONTACT FORMATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE</title><date>2003-10-16</date><risdate>2003</risdate><abstract>A method of forming a liner (and resultant structure) in a contact for a semiconductor device includes depositing a first layer (201) of refractory metal, annealing the first layer, and sputter depositing a second layer (501) of refractory metal or a compound or an alloy thereof, over the first layer.
Un procédé de formation d'un revêtement (et la structure résultante) dans un contact destiné à un dispositif à semi-conducteurs consiste à déposer une première couche de métal réfractaire, à recuire la première couche et à déposer par pulvérisation cathodique une deuxième couche de métal réfractaire ou d'un composé ou encore d'un alliage de ce dernier, sur ladite première couche.</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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