CONTACT FORMATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

A method of forming a liner (and resultant structure) in a contact for a semiconductor device includes depositing a first layer (201) of refractory metal, annealing the first layer, and sputter depositing a second layer (501) of refractory metal or a compound or an alloy thereof, over the first laye...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MURPHY, WILLIAM, JOSEPH, MILES, GLEN, LESTER, LANZEROTTI, LOUIS, VANSLETTE, DANIEL, SCOTT, MANN, RANDY, WILLIAM
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A method of forming a liner (and resultant structure) in a contact for a semiconductor device includes depositing a first layer (201) of refractory metal, annealing the first layer, and sputter depositing a second layer (501) of refractory metal or a compound or an alloy thereof, over the first layer. Un procédé de formation d'un revêtement (et la structure résultante) dans un contact destiné à un dispositif à semi-conducteurs consiste à déposer une première couche de métal réfractaire, à recuire la première couche et à déposer par pulvérisation cathodique une deuxième couche de métal réfractaire ou d'un composé ou encore d'un alliage de ce dernier, sur ladite première couche.