SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

본 기술은 슬릿을 사이에 두고 배치된 제1 셀렉트 라인 및 제2 셀렉트 라인과, 상기 제1 셀렉트 라인 및 상기 제2 셀렉트 라인 각각의 내부에 배치되고 슬릿에 인접한 채널구조를 포함하는 반도체 메모리 장치를 포함한다. 상기 반도체 메모리 장치에서 채널구조는 슬릿을 향하고 홈을 갖는 측벽을 포함하거나, 제1 및 제2 셀렉트 라인들 각각이 슬릿을 향해 돌출된 돌출 게이트부를 포함한다. Provided herein is a semiconductor memory device. The semiconductor memory device in...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: SUNG WOOK JUNG
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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