SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

본 기술은 슬릿을 사이에 두고 배치된 제1 셀렉트 라인 및 제2 셀렉트 라인과, 상기 제1 셀렉트 라인 및 상기 제2 셀렉트 라인 각각의 내부에 배치되고 슬릿에 인접한 채널구조를 포함하는 반도체 메모리 장치를 포함한다. 상기 반도체 메모리 장치에서 채널구조는 슬릿을 향하고 홈을 갖는 측벽을 포함하거나, 제1 및 제2 셀렉트 라인들 각각이 슬릿을 향해 돌출된 돌출 게이트부를 포함한다. Provided herein is a semiconductor memory device. The semiconductor memory device includes a first select line and a second select line disposed with a slit interposed therebetween, and a channel structure that is disposed in each of the first select line and the second select line and is adjacent to the slit. In the semiconductor memory device, the channel structure includes a sidewall facing the slit.