semiconductor device and method of forming underfill dam for chip-to-wafer device

반도체 장치는 감지 영역이 있는 반도체 다이를 갖는다. 댐 벽은 감지 영역에 근접한 반도체 다이 위에 형성된다. 일 실시예에서, 댐 벽은 수직 세그먼트 및 측면 윙을 갖는다. 댐 벽은 단일체로서 복수의 수직 세그먼트와 통합된 복수의 둥근 세그먼트를 가질 수 있다. 대안적으로, 댐 벽은 2개 이상의 중첩 행으로 배열된 복수의 개별 수직 세그먼트를 갖는다. 복수의 전도성 포스트가 반도체 다이 위에 형성된다. 반도체 다이 위에 전기 구성요소가 배치된다. 반도체 다이 및 전기 구성요소는 기판 위에 배치된다. 댐 벽 외부의 기판 위에 절연...

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Hauptverfasser: CHOI JOONYOUNG, KIM WOOSOON, KIM KYUNGOE, KIM YOUNGCHEOL
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:반도체 장치는 감지 영역이 있는 반도체 다이를 갖는다. 댐 벽은 감지 영역에 근접한 반도체 다이 위에 형성된다. 일 실시예에서, 댐 벽은 수직 세그먼트 및 측면 윙을 갖는다. 댐 벽은 단일체로서 복수의 수직 세그먼트와 통합된 복수의 둥근 세그먼트를 가질 수 있다. 대안적으로, 댐 벽은 2개 이상의 중첩 행으로 배열된 복수의 개별 수직 세그먼트를 갖는다. 복수의 전도성 포스트가 반도체 다이 위에 형성된다. 반도체 다이 위에 전기 구성요소가 배치된다. 반도체 다이 및 전기 구성요소는 기판 위에 배치된다. 댐 벽 외부의 기판 위에 절연 층이 형성된다. 반도체 다이와 기판 사이에 언더필 재료가 증착된다. 댐 벽과 절연 층은 언더필 재료가 감지 영역의 일부와 접촉하는 것을 방지한다. A semiconductor device has a semiconductor die with a sensitive area. A dam wall is formed over the semiconductor die proximate to the sensitive area. In one embodiment, the dam wall has a vertical segment and side wings. The dam wall can have a plurality of rounded segments integrated with a plurality of vertical segments as a unitary body. Alternatively, the dam wall has a plurality of separate vertical segments arranged in two or more overlapping rows. A plurality of conductive posts is formed over the semiconductor die. An electrical component is disposed over the semiconductor die. The semiconductor die and electrical component are disposed over a substrate. An insulating layer is formed over the substrate outside the dam wall. An underfill material is deposited between the semiconductor die and substrate. The dam wall and insulating layer inhibit the underfill material from contacting any portion of the sensitive area.