semiconductor device and method of forming underfill dam for chip-to-wafer device

반도체 장치는 감지 영역이 있는 반도체 다이를 갖는다. 댐 벽은 감지 영역에 근접한 반도체 다이 위에 형성된다. 일 실시예에서, 댐 벽은 수직 세그먼트 및 측면 윙을 갖는다. 댐 벽은 단일체로서 복수의 수직 세그먼트와 통합된 복수의 둥근 세그먼트를 가질 수 있다. 대안적으로, 댐 벽은 2개 이상의 중첩 행으로 배열된 복수의 개별 수직 세그먼트를 갖는다. 복수의 전도성 포스트가 반도체 다이 위에 형성된다. 반도체 다이 위에 전기 구성요소가 배치된다. 반도체 다이 및 전기 구성요소는 기판 위에 배치된다. 댐 벽 외부의 기판 위에 절연...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	CHOI JOONYOUNG, KIM WOOSOON, KIM KYUNGOE, KIM YOUNGCHEOL
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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