반도체 검사 장치
미소 디바이스의 불량 해석에 있어서 고감도로 이상(異常)을 검출할 수 있는 반도체 검사 장치를 제공한다. 반도체 검사 장치는, 시료를 재치(載置)하는 시료대(6)와, 시료에 전자선을 조사하는 전자 광학계(1)와, 시료에 접촉되는 측정 탐침(3)과, 측정 탐침으로부터의 출력을 측정하는 측정기(8)와, 시료에의 전자선의 조사에 응답한 측정 탐침으로부터의 출력의 측정값을 취득하는 정보 처리 장치(9)를 갖고, 정보 처리 장치는, 시료에 대하여 전자선의 조사를 개시하는 타이밍 및 전자선의 조사를 프리즈하는 타이밍과, 전자선이 시료에 조사된...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 미소 디바이스의 불량 해석에 있어서 고감도로 이상(異常)을 검출할 수 있는 반도체 검사 장치를 제공한다. 반도체 검사 장치는, 시료를 재치(載置)하는 시료대(6)와, 시료에 전자선을 조사하는 전자 광학계(1)와, 시료에 접촉되는 측정 탐침(3)과, 측정 탐침으로부터의 출력을 측정하는 측정기(8)와, 시료에의 전자선의 조사에 응답한 측정 탐침으로부터의 출력의 측정값을 취득하는 정보 처리 장치(9)를 갖고, 정보 처리 장치는, 시료에 대하여 전자선의 조사를 개시하는 타이밍 및 전자선의 조사를 프리즈하는 타이밍과, 전자선이 시료에 조사된 상태에서 측정기가 측정 탐침으로부터의 출력을 측정하는 제1 측정 기간과, 전자선의 조사가 프리즈된 후에 측정기가 측정 탐침으로부터의 출력을 측정하는 제2 측정 기간을 설정하고, 시료에의 전자선의 조사에 응답한 측정 탐침으로부터의 출력의 측정값을, 제1 측정 기간에 측정된 제1 측정값과 제2 측정 기간에 측정된 제2 측정값과의 차로부터 구한다.
A semiconductor inspection device capable of detecting an abnormality with high sensitivity in a failure analysis of a fine-structured device is provided. An electron optical system radiates an electron beam to a sample on a sample stage. A measurement device measures an output from a measurement probe that is in contact with the sample. An information processing device starts and stops the radiation of the electron beam to the sample, sets a first measurement period in which the measurement device measures the output from the measurement probe during the radiation and a second measurement period in which the measurement device measures the output from the measurement probe after the radiation, and obtains the measurement value of the output from the measurement probe based on a difference between a first measurement value measured in the first measurement period and a second measurement value measured in the second measurement period. |
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