Influence of the composition on the electrical properties of amorphous chalcogenides AgGe1 + x As1 − x S3
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Veröffentlicht in: | Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2012-07, Vol.46 (7), p.943-947 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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