Influence of the composition on the electrical properties of amorphous chalcogenides AgGe1 + x As1 − x S3

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2012-07, Vol.46 (7), p.943-947
Hauptverfasser:	Kheifets, O. L., Shakirov, E. F., Melnikova, N. V., Filippov, A. L., Nugaeva, L. L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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