Electron irradiation-activated low-temperature annealing of phosphorus-implanted silicon

High-energy (0.2–0.8 MeV, ≊1017 cm−2) electron irradiation-stimulated solid phase regrowth of phosphorus-implanted silicon layers has been observed in the temperature range 350–600 °C. The influence of electron irradiation on the annealing of an isolated damage layer and of a continuous amorphous la...

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Veröffentlicht in:Appl. Phys. Lett.; (United States) 1986-04, Vol.48 (17), p.1132-1134
Hauptverfasser: MIYAO, M, POLMAN, A, SINKE, W, SARIS, F. W, VAN KEMP, R
Format: Artikel
Sprache:eng
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