Removing the orientational degeneracy of the TS defect in 4H–SiC by electric fields and strain

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Rühl, Maximilian (VerfasserIn), Lehmeyer, Johannes (VerfasserIn), Nagy, Roland (VerfasserIn), Weisser, Matthias (VerfasserIn), Bockstedte, Michel (VerfasserIn), Krieger, Michael (VerfasserIn), Weber, Heiko B. (VerfasserIn)
Format:	Elektronisch E-Book
Sprache:	English
Veröffentlicht:	Erlangen ; Nürnberg Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg 2021
Schlagworte:	silicon carbide color centers Stark effect
Online-Zugang:	kostenfrei kostenfrei kostenfrei
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