Removing the orientational degeneracy of the TS defect in 4H–SiC by electric fields and strain
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Elektronisch E-Book |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Erlangen ; Nürnberg
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
2021
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | kostenfrei kostenfrei kostenfrei |
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