Silicon-Germanium (SiGe) IC devices and technology
The silicon-germanium heterojunction bipolar transistor (SiGe HBT) is the first practical bandgap-engineered device to be realized in silicon. This course will provide a comprehensive review of the state-of-the-art in SiGe HBTs and assess its potential for current and future wireless and wireline ap...
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Elektronisch Video |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
United States
IEEE
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | DE-92 DE-91 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Wegen Wartungsarbeiten nicht verfügbar
Unser Bibliotheksverwaltungssystem ist momentan wegen Wartungsarbeiten nicht verfügbar.
Bestandes- und Verfügbarkeitsinformationen können momentan leider nicht angezeigt werden. Wir entschuldigen uns für die Umstände und stehen für weitere Fragen gerne zur Verfügung:
Online
DE-92DE-91