Analyse und Optimierung von AlGaN/GaN-HEMTs in der leistungselektronischen Anwendung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Böcker, Jan (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Elektronisch E-Book
Sprache:German
Veröffentlicht: Berlin Universitätsverlag der TU Berlin 2020
Schriftenreihe:Elektrische Energietechnik an der TU Berlin Band 11
Schlagworte:
HEMT
Galliumnitrid
Leistungselektronik
Wide-bandgap Halbleiter
Hochschulschrift
Online-Zugang:https://doi.org/10.14279/depositonce-9678
https://hdl.handle.net/11303/10783
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:101:1-2020042202014962306209
https://d-nb.info/1208764578/34
kostenfrei
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