An adapted method for analyzing 4H silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Hauck, Martin (VerfasserIn), Lehmeyer, Johannes (VerfasserIn), Pobegen, Gregor (VerfasserIn), Weber, Heiko B. (VerfasserIn), Krieger, Michael (VerfasserIn)
Format:	Elektronisch E-Book
Sprache:	English
Veröffentlicht:	Erlangen Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg 2019
Schlagworte:	Characterization and analytical techniques Condensed-matter physics
Online-Zugang:	kostenfrei kostenfrei kostenfrei
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