An adapted method for analyzing 4H silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Hauck, Martin (VerfasserIn), Lehmeyer, Johannes (VerfasserIn), Pobegen, Gregor (VerfasserIn), Weber, Heiko B. (VerfasserIn), Krieger, Michael (VerfasserIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:English
Veröffentlicht: Erlangen Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg 2019
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