Statistical Modeling for Computer-Aided Design of MOS VLSI Circuits

Statistical Modeling for Computer-Aided Design of MOS VLSI Circuits

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As MOS devices are scaled to meet increasingly demanding circuit specifications, process variations have a greater effect on the reliability of circuit performance. For this reason, statistical techniques are required to design integrated circuits with maximum yield. Statistical Modeling for Compute...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Michael, Christopher (VerfasserIn), Ismail, Mohammed (VerfasserIn)
Format:	Elektronisch E-Book
Sprache:	English
Veröffentlicht:	Boston, MA Springer US 1993
Schriftenreihe:	The Kluwer International Series in Engineering and Computer Science, Analog Circuits and Signal Processing 211
Schlagworte:	Computer Science Computer-Aided Engineering (CAD, CAE) and Design Electrical Engineering Computer science Computer-aided engineering Electrical engineering Entwurf VLSI Statistisches Modell MOS-Schaltung
Online-Zugang:	BTU01 URL des Erstveröffentlichers
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