Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories Device Physics and Applications

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Weitere Verfasser: Park, Byung-Eun (HerausgeberIn), Ishiwara, Hiroshi 1945- (HerausgeberIn), Okuyama, Masanori (HerausgeberIn), Sakai, Shigeki (HerausgeberIn), Yoon, Sung-Min (HerausgeberIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:English
Veröffentlicht: Dordrecht Springer [2016]
Schriftenreihe:Topics in Applied Physics volume 131
Schlagworte:
Online-Zugang:TUM01
UBT01
URL des Erstveröffentlichers
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Wegen Wartungsarbeiten nicht verfügbar

Unser Bibliotheksverwaltungssystem ist momentan wegen Wartungsarbeiten nicht verfügbar.

Bestandes- und Verfügbarkeitsinformationen können momentan leider nicht angezeigt werden. Wir entschuldigen uns für die Umstände und stehen für weitere Fragen gerne zur Verfügung:

it.bib-wue@thws.de

Online

TUM01
UBT01
URL des Erstveröffentlichers