Entwicklung und Charakterisierung von Trench-Gate-Strukturen für 4H-SiC Leistungs-MOSFETs
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker Verlag
2016
|
| Schriftenreihe: | Erlanger Berichte Mikroelektronik
2016,1 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis |
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