C, H, N and O in Si and Characterization and Simulation of Materials and Processes Proceedings of Symposium N and Symposium G of the 1995 E-Mrs Spring Conference, Held in Strasbourg, France, 22-26 May 1995

C, H, N and O in Si and Characterization and Simulation of Materials and Processes Proceedings of Symposium N and Symposium G of the 1995 E-Mrs Spring Conference, Held in Strasbourg, France, 22-26 May 1995

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Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: Symposium N on Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and Oxygen in Silicon and Other Elemental Semiconductors <1995, Strasbourg, France> (VerfasserIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:English
Veröffentlicht: Oxford Elsevier Science 1996
Schriftenreihe:European Materials Research Society symposia proceedings
Schlagworte:
Conference proceedings
Compound semiconductors
Compound semiconductors / Congresses
Compound semiconductors / Industrial applications / Congresses
Congreses
Congresses
Mathematical models
Nanostructure materials
Semiconductors / Design and construction / Congresses
Semiconductors / Mathematical models / Congresses
Semiconductors / Simulation methods / Congresses
Silicon crystals
TECHNOLOGY & ENGINEERING / Electronics / Semiconductors
TECHNOLOGY & ENGINEERING / Electronics / Solid State
Semiconductors
Semiconductors / Defects
Silicon
Mathematisches Modell
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Konferenzschrift
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