Epitaxial growth of Si and 3C-SiC by chemical vapor deposition

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Zaia, Gilberto Vitor (VerfasserIn)
Format:	Elektronisch E-Book
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2002
Schlagworte:	Siliciumcarbid Silicium CVD-Verfahren Kristallfläche Hochschulschrift
Online-Zugang:	http://mediatum.ub.tum.de/?id=602950
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