Messung der elektronischen Transporteigenschaften an dotierten ZnTe-Epitaxie-Schichten im Temperaturbereich von 10 K bis 300 K
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
1990
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