Entwicklung von Modellen zur Simulation des Temperaturverhaltens von MOS-Feldeffekttransistoren in Analog- und Digitalschaltungen im Temperaturbereich von -55C̊ bis 150C̊
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Eggenstein-Leopoldshafen
Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik
1985
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schlagworte: | |
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