Positron Annihilation in Mn2+-Doped KCl Single Crystals

The angular distribution of annihilation photons (ADAP) is measured in pure KCl single crystals and in that doped with Mn2+ impurities to concentrations of 60 and 250 ppm. In unannealed, impurity‐doped crystals, the intensity of the narrow component increases with the increase of the impurity concentration. The narrowing of the ADAP curves is explained by assuming trapping of positrons at impurity induced positive ion vacancies. On annealing, for 60 ppm impurity concentration, the intensity of the narrow component is greater than that for the unannealed sample of the same concentration, indicating dissolution of impurity–vacancy complexes, at elevated temperatures. For 250 ppm impurity concentration, comparing the results of the unannealed and annealed samples no great difference is found between the intensities of the narrow components indicating, that the dissolution of the impurity–vacancy complexes is not appreciable at higher concentrations, on heating. Die Winkelverteilung von Annihilationsphotonen (ADAP) wird in reinen und in mit Mn2+‐Störstellen mit Konzentrationen von 60 und 250 ppm dotierten KCl‐Einkristallen gemessen. In ungetemperten, störstellendotierten Kristallen nimmt die Intensität der schmalen Komponente mit zunehmender Störstellenkonzentration zu. Die Verschmälerung der ADAP‐Kurven wird mit der Annahme von Positronenanhaften an störstelleninduzierten, positiven Ionenleerstellen erklärt. Nach Temperung ist für eine Störstellenkonzentration von 60 ppm die Intensität der schmalen Komponente höher, was auf eine Auflösung der Störstellen–Leerstellen‐Komplexe bei erhöhten Temperaturen hinweist. Für eine Störstellenkonzentration von 250 ppm zeigt ein Vergleich der Ergebnisse an ungetemperten und getemperten Proben, daß keine große Differenz zwischen den Intensitäten der schmalen Komponenten existiert, was zeigt, daß die Auflosung der Störstellen–Leerstellen‐Komplexe nach dem Aufheizen bei höheren Konzentrationen nicht wesentlich ist.