Mössbauer Experiments with Coulomb-Excited 73Ge after Coulomb Recoil Implantation

The nuclear resonance absorption of the 67.03 keV de‐excitation radiation of 73Ge*, Coulomb‐excited by 20 to 30 MeV 16O ions, is studied. The recoiling 73Ge° nuclei are implanted into a chromium substrate. The electronic configurations Ge (4s1 p3) in Ge (cryst.), Ge (15% (4s2 p0), 85% (4s2 p2)) in G...

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Veröffentlicht in:physica status solidi (b) 1968, Vol.27 (2), p.639-651
Hauptverfasser: Zimmermann, B. H., Jena, H., Ischenko, G., Killan, H., Seyboth, D.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:The nuclear resonance absorption of the 67.03 keV de‐excitation radiation of 73Ge*, Coulomb‐excited by 20 to 30 MeV 16O ions, is studied. The recoiling 73Ge° nuclei are implanted into a chromium substrate. The electronic configurations Ge (4s1 p3) in Ge (cryst.), Ge (15% (4s2 p0), 85% (4s2 p2)) in Ge (II)Se, Ge (62% (4s0 p0), 38% (4s1 p3)) in GeO2 (hex.) and GeO2 (tetr.), and the ratio δ R/R=1.12 × 10−3 of the nuclear charge radius are compatible with the measured isomeric shifts. Line broadenings and recoil‐free fractions f of the implantation target and the absorbers are determined. At 78 °K f GeO 2(tetr.) is greater than f GeO 2(hex.) by a factor of six. Die Kernresonanzabsorption der 67.03 KeV γ‐Strahlung von 73Ge°, Coulomb‐angeregt durch 16O‐Ionen von 20 bis 30 MeV, wurde untersucht. Die rückgestoßenen 73Ge*‐Kerne wurden in eine Chromunterlage implantiert. Die Elektronenkonfigurationen Ge (4s1p3) in Ge (krist.), Ge (15% (4s2 p0), 85% (4s2 p2)) in Ge(II)Se, Ge (62% (4s0 p0), 38% (4s1 p3)) in GeO2 (hex.) und GeO2 (tetr.) und δ R/R = 1,12 × 10−3 des Kernladungsradius sind mit den gemessenen Isomerieverschiebungen verträglich. Linienbreiten und Debye‐Waller‐Faktoren f des Implantationstargets und der Absorber wurden bestimmt. Bei 78°K ist f GeO 2(tetr.) um den Faktor 6 größer als f GeO 2(hex.).
ISSN:0370-1972
1521-3951
DOI:10.1002/pssb.19680270221