Range distribution characteristics of H+ and He++ ions with energies (5 to 2) × 103 keV implanted into silicon

Detailed results of Monte‐Carlo calculations on the depth distributions of H+ and He++ ions with energies (5 to 2) × 103 keV implanted in silicon are presented. The energy dependences of mean projected and total ranges, standart deviations and skewnesses are given among them. The Pearson's approximation of the calculated distributions is discussed. Ausführliche Ergebnisse werden mitgeteilt von Monte‐Carlo‐Rechnungen uber die Tiefenverteilungen von H+‐ und He++‐Ionen, die mit Energien von (5 bis 2) × 103 keV in Silizium implantiert werden. Die Energieabhänigkeiten der mittleren projizierten und der Gesamtreichweiten, Standardabweichungen und Winkelabweichungen werden angegeben. Die Pearson‐Naherung der berechneten Verteilungen wird diskutiert.