Formation of ultrathin oxide films on silicon in RF oxygen plasma

The oxidation kinetics of Si in oxygen rf plasma in a planar reactor is investigated. It is found that the dependence of the oxide layer thickness on oxidation time is characterized by a rapid initial region described by the Mott‐Cabrera law, followed by a linear region. The influence of glow discharge parameters on the oxidation process is investigated. It is concluded that the active oxidizing particle is elemental oxygen. Die Oxidationskinetik von Si im HF‐Sauerstoffplasma eines planaren Reaktors wird untersucht. Es wird festgestellt, daß die Abhängigkeit der Oxidschichtdicke von der Oxidationszeit durch einen steilen Anfangsbereioh, der nach dem Gesetz von Mott‐Cabrera beschrieben wird, und einem nachfolgenden linearen Bereioh charakterisiert wird. Der Einfluß der Entladungsparameter auf den Oxidationsvorgang wird untersucht. Es wird gefolgert, daß das aktive Oxidationsteilchen atomarer Sauerstoff ist.