CdTe-InSb heterojunctions

An investigation is made of the properties of the contact CdTe–InSb realized by deposition of InSb on the etched surface of n‐type CdTe single crystals and annealing. The profile of the elemental composition of the contact obtained by secondary ion mass spectrometry (SIMS) shows that certain interfacial chemical reactions do occur. The results obtained from the measurements of the photoresponse and forward characteristics versus temperature shows that near room temperature, the contact behaves like a „real”︁ Schottky barrier. At low temperature a tunneling transport mechanism appears. Une investigation des propriétés du contact CdTe–InSb réalisé par déposition de InSb sur la surface etchée de CdTe de type n monocristallin suivie d'un recuit a été faite. Le profil des éléments composants du contact obtenu pas spectrométrie de masse d'ions secondaires (SIMS) montre qu'il se produit certaines réactions chimiques interfaciales. Les résultats obtenus des mesures de la photoréponse et des caractéristiques directes en fonction de la température montrent que, au voisinage de la température ambiante, le contact se comporte comme une barrière Schottky „réelle”︁. A basse température un mécanisme de transport par tunneling apparaǐt.