Analyse des effets de la défocalisation du courant émetteur sur les mécanismes de conduction et de bruit de fond des transistors à jonctions

Les phénomènes de conduction et de bruit de fond des transistors à jonctions sont analysés en prenant en compte les mécanismes de focalisation des lignes de courant. Il est établi que le comportement de la zone de base active du transistor située sous l′émetteur peut ětre simulé par un circuit électrique compact relativement simple dont les éléments sont définis par des expressions analytiques dans les trois régimes de fonctionnement suivants: en basse fréquence, quel que soit le niveau de polarisation; à faible niveau de polarisation, quelle que soit la fréquence à fort niveau de polarisation, très haute fréquence. Ces relations indiquent qu′en basse fréquence la résistance de bruit de la zone de base active peut prendre des valeurs notablement inférieures à celles de la résistance dynamique et que la corrélation existant entre les générateurs de bruit associés au transistor intrinsèque, peut devenir considérable. Dans les deux autres cas, la résistance de bruit et la partie réelle de l′impédance de la base sont approximativement égales et les effets de corrélation sont plus importants que ceux prévus par les modèles de bruit plus anciens. An analysis is presented of conduction and noise phenomena in bipolar transistors, in the presence of emitter crowding. It is shown that the behaviour of the active zone of the base of the transistor, located below the emitter region, can be simulated by a rather simple lumped electrical network, the elements of which can be represented by analytical expressions for the following three cases of operating conditions: (i) at low frequencies, for any injection level; (ii) at low injection levels, for any frequency; (iii) at high injection levels and very high frequency. The result indicates in what manner the noise is modified by emitter crowding. At low frequency the equivalent noise resistance of the base active zone is lower than the dynamic base resistance. Furthermore the correlation between the noise generators associated with the intrinsic transistor appears to be larger than the prediction of the classical approximated theory. In the other cases the equivalent noise resistance and the real part of the base impedance are roughly equal, but the correlation coefficient remains more important.