Memory Effects in Molecular Films of Free-Standing Rod-Shaped Ruthenium Complexes on an Electrode

Gedächtnistraining: Beim Anlegen eines oxidierenden Spannungspulses zeigten auf einer Indiumzinnoxid‐Elektrode immobilisierte Rutheniumkomplexe einen Gedächtniseffekt: Der zunächst als Antwort erhaltene anodische Photostrom (oben) änderte sich in einen kathodischen (unten).

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Angewandte Chemie 2011-07, Vol.123 (28), p.6411-6415
Hauptverfasser: Terada, Keiichi, Kanaizuka, Katsuhiko, Iyer, Vijay Mahadevan, Sannodo, Miyabi, Saito, Sohei, Kobayashi, Katsuaki, Haga, Masa-aki
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:Gedächtnistraining: Beim Anlegen eines oxidierenden Spannungspulses zeigten auf einer Indiumzinnoxid‐Elektrode immobilisierte Rutheniumkomplexe einen Gedächtniseffekt: Der zunächst als Antwort erhaltene anodische Photostrom (oben) änderte sich in einen kathodischen (unten).
ISSN:0044-8249
1521-3757
DOI:10.1002/ange.201100142