Resistance Switching Characteristics of Solid Electrolyte Chalcogenide Ag2Se Nanoparticles for Flexible Nonvolatile Memory Applications

Solution‐processed mechanically flexible resistive random access memories are fabricated using Ag2Se nanoparticles; the fabricated Ag/Ag2Se/Au memory devices on flexible poly‐ethylene‐naphthalate substrates show bipolar switching memory characteristics, with low voltage (

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Advanced materials (Weinheim) 2012-07, Vol.24 (26), p.3573-3576
Hauptverfasser:	Jang, Jaewon, Pan, Feng, Braam, Kyle, Subramanian, Vivek
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Ag2Se nanoparticles flexible electronics non-volatile memory resistance switching solution process
Online-Zugang:	Volltext
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