基于包混和复合添加工艺的多孔碳化硅陶瓷的制备和性能

基于包混和复合添加工艺的多孔碳化硅陶瓷的制备和性能

TG146; 采用包混工艺合成核-壳结构的硅-树脂先驱体粉体,引入Al2O3-SiO2-Y2O3复合添加剂,通过成型、炭化和烧结工艺制备多孔碳化硅陶瓷.分析多孔碳化硅陶瓷样品的物相、形貌、孔隙率、热导率、热膨胀系数和抗热震性能.结果表明:复合添加能够在较低的温度下制得多孔碳化硅陶瓷；陶瓷样品的晶粒较小,明显增强了多孔碳化硅陶瓷的导热性能；复合添加提高了碳化硅陶瓷的抗热震性能,添加Al2O3-SiO2-Y2O3并且在1 650℃下烧结制备的多孔碳化硅陶瓷经过30次热震后的抗弯强度损失率为6.5%；陶瓷样品的孔壁更加光滑,孔分布更均匀；复合添加对多孔碳化硅陶瓷热膨胀系数的影响较小....

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Veröffentlicht in:中国有色金属学报（英文版） 2011 (6), p.1329-1334
Hauptverfasser: 赵宏生, 刘中国, 杨阳, 刘小雪, 张凯红, 李自强
Format: Artikel
Sprache:chi
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:TG146; 采用包混工艺合成核-壳结构的硅-树脂先驱体粉体,引入Al2O3-SiO2-Y2O3复合添加剂,通过成型、炭化和烧结工艺制备多孔碳化硅陶瓷.分析多孔碳化硅陶瓷样品的物相、形貌、孔隙率、热导率、热膨胀系数和抗热震性能.结果表明:复合添加能够在较低的温度下制得多孔碳化硅陶瓷；陶瓷样品的晶粒较小,明显增强了多孔碳化硅陶瓷的导热性能；复合添加提高了碳化硅陶瓷的抗热震性能,添加Al2O3-SiO2-Y2O3并且在1 650℃下烧结制备的多孔碳化硅陶瓷经过30次热震后的抗弯强度损失率为6.5%；陶瓷样品的孔壁更加光滑,孔分布更均匀；复合添加对多孔碳化硅陶瓷热膨胀系数的影响较小.
ISSN:1003-6326
DOI:10.1016/S1003-6326(11)60861-3