低温净化冶金硅工艺

TN304.12; 硼、磷杂质的去除在冶金净化法生产太阳能级多晶硅工艺中耗能最大.金属熔析净化法可以实现冶金硅在金属液中低温下熔化,而后再结晶净化,是一种可行的低能耗硼磷去除方法.对熔析体系的选择原则进行总结,筛选出铝、锡和铟金属作为合适的熔析介质.对于Sn-Si体系,1 500 K时硼的分凝系数为0.038,远小于纯硅熔点的对应值0.8.冶金硅二次熔析净化处理可使硼的质量分数由15×10-6降至0.1×10-6,而多数金属杂质可一次性去除至0.1×10-6以下.在熔析过程中,杂质和硅生成化合物是主要的杂质去除方式.提出一种以金属熔析法为基础的低温冶金硅净化工艺....

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Veröffentlicht in:	中国有色金属学报（英文版） 2011, Vol.21 (5), p.1185-1192
Hauptverfasser:	赵立新, 王志, 郭占成, 李成义
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	TN304.12; 硼、磷杂质的去除在冶金净化法生产太阳能级多晶硅工艺中耗能最大.金属熔析净化法可以实现冶金硅在金属液中低温下熔化,而后再结晶净化,是一种可行的低能耗硼磷去除方法.对熔析体系的选择原则进行总结,筛选出铝、锡和铟金属作为合适的熔析介质.对于Sn-Si体系,1 500 K时硼的分凝系数为0.038,远小于纯硅熔点的对应值0.8.冶金硅二次熔析净化处理可使硼的质量分数由15×10-6降至0.1×10-6,而多数金属杂质可一次性去除至0.1×10-6以下.在熔析过程中,杂质和硅生成化合物是主要的杂质去除方式.提出一种以金属熔析法为基础的低温冶金硅净化工艺.
ISSN:	1003-6326
DOI:	10.1016/S1003-6326(11)60841-8