V族三元化合物半导体材料分子束外延的生长热力学

TG1; 建立Ⅲ-V族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型.该模型与实验材料InGaP/GaAs, InGaAs/InP 及已发表的GaAsP/GaAs, InAsP/InP 的数据吻合得很好.将晶格应变能ΔG及脱附对温度敏感这两个因素同时纳入热力学模型中,束流和生长温度直接影响合金组分,晶格应变能是合金组分的函数.热力学模型计算结果反映了束流和生长温度是生长过程中最主要的影响因素.讨论和分析了四元半导体材料InGaAsP/GaAs的热力学生长模型....

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Veröffentlicht in:	中国有色金属学报（英文版） 2011, Vol.21 (1), p.146-151
Hauptverfasser:	叶志成, 舒永春, 曹雪, 龚亮, 皮彪, 姚江宏, 邢晓东, 许京军
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	TG1; 建立Ⅲ-V族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型.该模型与实验材料InGaP/GaAs, InGaAs/InP 及已发表的GaAsP/GaAs, InAsP/InP 的数据吻合得很好.将晶格应变能ΔG及脱附对温度敏感这两个因素同时纳入热力学模型中,束流和生长温度直接影响合金组分,晶格应变能是合金组分的函数.热力学模型计算结果反映了束流和生长温度是生长过程中最主要的影响因素.讨论和分析了四元半导体材料InGaAsP/GaAs的热力学生长模型.
ISSN:	1003-6326
DOI:	10.1016/S1003-6326(11)60691-2