In2S3/g-C3N4光催化复合材料的制备与研究

X703; 为解决早期合成出来的g-C3N4材料光生电子空穴对复合速率高、比表面积小和禁带宽度高等问题,该文采用热缩聚合法和取氧刻蚀法制备g-C3N4纳米片,以g-C3N4纳米片作为基底,通过水热法制备不同含量In2S3/g-C3N4复合材料.采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和紫外可见漫反射(UV-vis)等进行形貌、组成以及光催化性能表征.并将罗丹明B作为目标污染物研究g-C3N4及不同含量In2S3/g-C3N4复合材料的降解性能.试验结果表明,纯g-C3N4纳米片对罗丹明B的降解性能明显低于具有5％～7％含量的In2S3/g-C3N4复合材料.最终通过反复试验的得出,7％In...

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Veröffentlicht in:	中国新技术新产品 2022 (11), p.61-63
Hauptverfasser:	赵子龙, 贺世洁, 董国峰, 谈志鹏, 马元良
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	X703; 为解决早期合成出来的g-C3N4材料光生电子空穴对复合速率高、比表面积小和禁带宽度高等问题,该文采用热缩聚合法和取氧刻蚀法制备g-C3N4纳米片,以g-C3N4纳米片作为基底,通过水热法制备不同含量In2S3/g-C3N4复合材料.采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和紫外可见漫反射(UV-vis)等进行形貌、组成以及光催化性能表征.并将罗丹明B作为目标污染物研究g-C3N4及不同含量In2S3/g-C3N4复合材料的降解性能.试验结果表明,纯g-C3N4纳米片对罗丹明B的降解性能明显低于具有5％～7％含量的In2S3/g-C3N4复合材料.最终通过反复试验的得出,7％In2S3/g-C3N4复合材料的光降解性能最佳,其催化活性也有一定提高.
ISSN:	1673-9957
DOI:	10.3969/j.issn.1673-9957.2022.11.020