一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术

一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术

TL99%TN386.1; 本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI,CSOI)器件技术.CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能.基于CSOI工艺,研制出了高抗辐照4kbSRAM验证芯片.辐照实验证实,该芯片的抗总剂量水平达到6 Mrad(Si)、单粒子翻转阈值大于118(MeV· cm2)/mg,达到国际先进水平,有望应用于深空探测、核应急等极端领域....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:原子能科学技术 2023-12, Vol.57 (12), p.2241-2253
Hauptverfasser: 叶甜春, 李博, 刘凡宇, 李多力, 李彬鸿, 陈思远
Format: Artikel
Sprache:chi
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:TL99%TN386.1; 本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI,CSOI)器件技术.CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能.基于CSOI工艺,研制出了高抗辐照4kbSRAM验证芯片.辐照实验证实,该芯片的抗总剂量水平达到6 Mrad(Si)、单粒子翻转阈值大于118(MeV· cm2)/mg,达到国际先进水平,有望应用于深空探测、核应急等极端领域.
ISSN:1000-6931
DOI:10.7538/yzk.2023.youxian.0698