单粒子效应辐照实验50～500MeV准单能中子源模拟研究

O571.1; 中子引发单粒子效应会影响航空飞行器和地面核设施用电子器件的可靠性.准单能中子是研究中子单粒子效应规律和机理的重要中子源,通过开展辐照实验获取中子单粒子效应截面的能量依赖曲线,能预估器件在不同中子辐射环境中的单粒子错误率.基于核反应理论,研究了 50～500 MeV质子与锂相互作用的中子产额及中子单能峰产额,并基于SRIM程序计算了质子在 1～3MeV能损时Li靶厚度随质子能量的变化趋势.选取质子能损为2MeV时的Li靶厚度,采用蒙特卡罗方法,模拟计算了50～500 MeV质子与Li靶核反应的次级中子产额和不同出射方向的中子能谱.研究结果表明,0°出射方向中子具有最好的单色性,且质子流强为1μA,靶厚在质子能损为2MeV时,准单能中子注量率可达104～105 cm-2·s-1(距靶 5m),单能峰占比约为 50%,可满足中子单粒子效应研究需求.