同位素10B靶的制备

O484.1; 为准确测量10B(n,α)7Li和10B(n,t2α)的反应截面,需制备质量厚度为50～350 μg/cm2的10B靶.本文系统研究了同位素10B靶的制备工艺,确定了"压片-烧结-蒸发"三步法制备10B靶.研究了基片温度对10 B膜生长过程、结构和膜基结合力的影响,测试和分析了10B靶的不均匀性.结果表明,利用间歇式静电聚焦微调电子轰击法制备同位素10B靶,蒸发速率应低于0.02 μg/(cm2·s);灯丝平面与10B柱的最佳距离为10.5～11 mm;生长的10B膜随基片温度的升高而致密并逐步结晶,膜基结合力也更好,最佳基片温度约为300℃.对于尺寸为φ8...

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Veröffentlicht in:	原子能科学技术 2021, Vol.55 (3), p.550-554
Hauptverfasser:	樊启文, 王华, 孟波
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	O484.1; 为准确测量10B(n,α)7Li和10B(n,t2α)的反应截面,需制备质量厚度为50～350 μg/cm2的10B靶.本文系统研究了同位素10B靶的制备工艺,确定了"压片-烧结-蒸发"三步法制备10B靶.研究了基片温度对10 B膜生长过程、结构和膜基结合力的影响,测试和分析了10B靶的不均匀性.结果表明,利用间歇式静电聚焦微调电子轰击法制备同位素10B靶,蒸发速率应低于0.02 μg/(cm2·s);灯丝平面与10B柱的最佳距离为10.5～11 mm;生长的10B膜随基片温度的升高而致密并逐步结晶,膜基结合力也更好,最佳基片温度约为300℃.对于尺寸为φ80 mm同位素10B靶的制备,不均匀性可控制在10％以内.已经成功在Ta和A1基片上制备了厚度＜350 μg/cm2 的10B靶用于核物理实验测量.
ISSN:	1000-6931
DOI:	10.7538/yzk.2020.youxian.0198