硅铝酸盐分子筛对HC1电子气体的深度除水性能研究

TQ117; 耐HC1和水协同腐蚀、低二次杂质释出是吸附材料用于HC1电子气体深度除水的先决条件.在考察了一系列工业化硅铝酸盐分子筛的耐蚀性、杂质释出和真实HC1电子气体环境下的深度除水性能后证实,硅铝酸盐分子筛的耐蚀性和除水性能与硅铝摩尔比(SiO2/Al2O3摩尔比)密切相关.硅铝摩尔比为2的分子筛耐蚀性较差,硅铝摩尔比为16～360的分子筛均具有较好的耐蚀性;硅铝摩尔比介于2～300之间的分子筛可将HC1电子气体中约2.pμL/L水分脱除至130～200nL/L,除水效率与速度均随硅铝摩尔比增加呈下降趋势.根据上述规律开发的MS-1分子筛可脱除HC1电子气体中的水分至约160 nL/L,...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	现代化工 2021, Vol.41 (1), p.103-112
Hauptverfasser:	叶向荣, 张广第, 叶素芳, 夏添, 周井森, 张云峰, 廖进, 刘俊明
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	TQ117; 耐HC1和水协同腐蚀、低二次杂质释出是吸附材料用于HC1电子气体深度除水的先决条件.在考察了一系列工业化硅铝酸盐分子筛的耐蚀性、杂质释出和真实HC1电子气体环境下的深度除水性能后证实,硅铝酸盐分子筛的耐蚀性和除水性能与硅铝摩尔比(SiO2/Al2O3摩尔比)密切相关.硅铝摩尔比为2的分子筛耐蚀性较差,硅铝摩尔比为16～360的分子筛均具有较好的耐蚀性;硅铝摩尔比介于2～300之间的分子筛可将HC1电子气体中约2.pμL/L水分脱除至130～200nL/L,除水效率与速度均随硅铝摩尔比增加呈下降趋势.根据上述规律开发的MS-1分子筛可脱除HC1电子气体中的水分至约160 nL/L,MS-1分子筛经改性后则可将水分除至＜100 nL/L,且对HC1中的金属离子无显著影响.
ISSN:	0253-4320
DOI:	10.16606/j.cnki.issn0253-4320.2021.01.021