量子点发光二极管中电荷累积行为

O649; 量子点发光二极管(QLED)是不需要额外光源的主动发光技术,在显示领域中的应用前景被广泛看好.寿命较短是影响QLED商业化的重要因素之一,并且其老化机理尚不清晰.在本工作中,我们通过自主搭建电荷提取装置,证实红光QLED在恒流驱动过程中,存在显著的电荷累积.累积电荷量随着驱动电流密度增加而增加,但当超过阈值电流密度(对应于开启电压)后逐渐趋于饱和.随着器件老化,亮度下降伴随着累积电荷量进一步增加.本工作对QLED老化过程中电荷累积规律的理解,能为QLED材料和界面的优化设计提供直观判据....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	物理化学学报 2022, Vol.38 (8), p.51-57
Hauptverfasser:	王成, 张弛, 黎瑞锋, 陈琪, 钱磊, 陈立桅
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	O649; 量子点发光二极管(QLED)是不需要额外光源的主动发光技术,在显示领域中的应用前景被广泛看好.寿命较短是影响QLED商业化的重要因素之一,并且其老化机理尚不清晰.在本工作中,我们通过自主搭建电荷提取装置,证实红光QLED在恒流驱动过程中,存在显著的电荷累积.累积电荷量随着驱动电流密度增加而增加,但当超过阈值电流密度(对应于开启电压)后逐渐趋于饱和.随着器件老化,亮度下降伴随着累积电荷量进一步增加.本工作对QLED老化过程中电荷累积规律的理解,能为QLED材料和界面的优化设计提供直观判据.
ISSN:	1000-6818
DOI:	10.3866/PKU.WHXB202104030