硒蒸气浓度对制备CIGS薄膜的影响

采用＂预制层硒化法＂制备CuIn1-xGaxSe2（CIGS）薄膜.基于自主设计的＂双层管式硒化装置＂,通过控制硒蒸气浓度优化退火工艺,研究硒蒸气浓度对薄膜光电性能的影响.利用俄歇电子能谱（AES）和X射线衍射分析（XRD）等手段对不同硒浓度氛围下生成的CIGS薄膜的成分和物相进行表征,并在AM1.5、1000W·m-2的标准光照条件下比较相应CIGS电池器件的输出性能.实验结果表明：饱和硒蒸气下退火得到的样品,基底钼膜遭到严重腐蚀破坏,失去背电极功能;在低浓度硒气氛下退火不能有效消除CIGS薄膜的偏析和缺陷,以致光电转换效率低;而在无硒惰性氛围下退火的样品,生成了物相均一化的CIGS薄膜,由...

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Veröffentlicht in:	Wuli huaxue xuebao 2011, Vol.27 (2), p.432-436
1. Verfasser:	廖成韩俊峰江涛谢华木焦飞赵夔
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	偏析双层管式硒化装置退火预制层硒化法饱和硒蒸气
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Beschreibung
Zusammenfassung:	采用＂预制层硒化法＂制备CuIn1-xGaxSe2（CIGS）薄膜.基于自主设计的＂双层管式硒化装置＂,通过控制硒蒸气浓度优化退火工艺,研究硒蒸气浓度对薄膜光电性能的影响.利用俄歇电子能谱（AES）和X射线衍射分析（XRD）等手段对不同硒浓度氛围下生成的CIGS薄膜的成分和物相进行表征,并在AM1.5、1000W·m-2的标准光照条件下比较相应CIGS电池器件的输出性能.实验结果表明：饱和硒蒸气下退火得到的样品,基底钼膜遭到严重腐蚀破坏,失去背电极功能;在低浓度硒气氛下退火不能有效消除CIGS薄膜的偏析和缺陷,以致光电转换效率低;而在无硒惰性氛围下退火的样品,生成了物相均一化的CIGS薄膜,由此制备的CIGS电池取得了8.5%的转换效率.
ISSN:	1000-6818