双极性半导体钝化膜空间电荷电容分析

钝化膜的空间电荷电容的测量（Mott-Schottky（M-S）曲线）是研究其半导体性质的重要手段,双极性半导体钝化膜在耗尽态电位区M-S曲线斜率往往会发生改变,首先建立了半导体富集态、耗尽态以及反型态空间电荷电容的统一计算公式,进而将双极性半导体钝化膜空间电荷电容等效为钝化膜/溶液界面处电容和内层钝化膜/外层钝化膜界面处的np结电容的串联,模拟计算结果能够很好地解释M-S曲线斜率发生改变这一实验现象.同时,计算结果表明,对于双极性半导体的M-S曲线,利用其直线部分的斜率、直线与电位坐标轴的截距来确定钝化膜的载流子浓度以及平带电位会产生一定的误差....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Wuli huaxue xuebao 2009, Vol.25 (3), p.463-469
1. Verfasser:	陈长风姜瑞景张国安郑树起
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	Mott-Schottky曲线双极性空间电荷电容钝化膜
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	钝化膜的空间电荷电容的测量（Mott-Schottky（M-S）曲线）是研究其半导体性质的重要手段,双极性半导体钝化膜在耗尽态电位区M-S曲线斜率往往会发生改变,首先建立了半导体富集态、耗尽态以及反型态空间电荷电容的统一计算公式,进而将双极性半导体钝化膜空间电荷电容等效为钝化膜/溶液界面处电容和内层钝化膜/外层钝化膜界面处的np结电容的串联,模拟计算结果能够很好地解释M-S曲线斜率发生改变这一实验现象.同时,计算结果表明,对于双极性半导体的M-S曲线,利用其直线部分的斜率、直线与电位坐标轴的截距来确定钝化膜的载流子浓度以及平带电位会产生一定的误差.
ISSN:	1000-6818