COT—H在金属Ru表面上沉积的光电子能谱分析

采用紫外光电子能谱（UPS），分析了不对称四苯基四苯乙炔基环辛四烯（COT－H）有机发光材料与金属之间的界面电子结构，研究了在金属／COT－H界面上的逸出功变化。UPS谱中位于费米能级以下5.6、7.9和10.2eV处的三个谱峰分别来自于COT－H材料中苯环的πcc、σcc和σCH轨道。位于3.8eV处的谱峰反映了八个苯环聚合后具有π轨道特性的C－C键。从UPS谱图中可以看到，COT－H材料的最高占有态（HOS:highest occupied state）位于费米能级以下1.8eV处。CTO－H材料的逸出功只有3.2eV，比清洁Ru表面的逸出功小1.0eV。角分辨紫外光电子能谱（ARUPS）的结果表明，组成COT－H分子应该近似平行于衬底表面。