In2O3/InNbO4复合材料的热电性能研究

O472; In2O3作为一种良好的光电和气敏材料,因高温下具有优异的热电性能在热电领域也获得广泛关注.本研究通过固相反应法结合放电等离子烧结(SPS)成功将原位自生的InNbO4第二相引入到In2O3基体中,优化了块体样品的制备工艺.同时,InNbO4改善了样品的电输运性能,使载流子浓度明显提高,在1023 K时电导率最高可达1548 S·cm–1,高于大多数元素掺杂的样品.其中,0.998In2O3/0.002InNbO4样品的热电性能测试表明,在1023 K时,其功率因子可达到0.67 mW·m–1·K–2,热电优值(ZT)达到最高值0.187.综上所述,通过在In2O3中原位复合InN...

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Veröffentlicht in:	无机材料学报 2022-07, Vol.37 (7), p.724-730
Hauptverfasser:	程成, 李建波, 田震, 王鹏将, 康慧君, 王同敏
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	O472; In2O3作为一种良好的光电和气敏材料,因高温下具有优异的热电性能在热电领域也获得广泛关注.本研究通过固相反应法结合放电等离子烧结(SPS)成功将原位自生的InNbO4第二相引入到In2O3基体中,优化了块体样品的制备工艺.同时,InNbO4改善了样品的电输运性能,使载流子浓度明显提高,在1023 K时电导率最高可达1548 S·cm–1,高于大多数元素掺杂的样品.其中,0.998In2O3/0.002InNbO4样品的热电性能测试表明,在1023 K时,其功率因子可达到0.67 mW·m–1·K–2,热电优值(ZT)达到最高值0.187.综上所述,通过在In2O3中原位复合InNbO4第二相可以很好地改善In2O3基热电陶瓷的电性能,进而调控其高温热电性能.
ISSN:	1000-324X
DOI:	10.15541/jim20210631