电还原MoSe2修饰TiO2纳米管光电化学性能研究

电还原MoSe2修饰TiO2纳米管光电化学性能研究

TQ174; 通过阳极氧化法在乙二醇电解液中制备TiO2纳米管阵列,以钼酸钠和亚硒酸为原料,改变原料的浓度配比以及沉积电压,电化学还原沉积MoSe2对TiO2纳米管阵列进行修饰,以半导体复合的方式提高TiO2的光电化学性能.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对复合物进行物相、形貌分析,通过电化学工作站测试复合材料的线性伏安曲线、交流阻抗.结果表明,MoSe2与TiO2形成了p-n异质结,降低了光生电子和空穴的复合以及电荷转移电阻显著降低,使载流子浓度、光电流密度明显增大.沉积电压为-0.5 V,2 mmol/L H2SeO3沉积30 s,经过300℃热处理的MoSe2/TiO...

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Veröffentlicht in:无机材料学报 2019-08, Vol.34 (8), p.797-802
Hauptverfasser: 张亚萍, 丁文明, 朱海丰, 黄承兴, 于濂清, 王永强, 李哲, 徐飞
Format: Artikel
Sprache:chi
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