电还原MoSe2修饰TiO2纳米管光电化学性能研究

TQ174; 通过阳极氧化法在乙二醇电解液中制备TiO2纳米管阵列,以钼酸钠和亚硒酸为原料,改变原料的浓度配比以及沉积电压,电化学还原沉积MoSe2对TiO2纳米管阵列进行修饰,以半导体复合的方式提高TiO2的光电化学性能.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对复合物进行物相、形貌分析,通过电化学工作站测试复合材料的线性伏安曲线、交流阻抗.结果表明,MoSe2与TiO2形成了p-n异质结,降低了光生电子和空穴的复合以及电荷转移电阻显著降低,使载流子浓度、光电流密度明显增大.沉积电压为-0.5 V,2 mmol/L H2SeO3沉积30 s,经过300℃热处理的MoSe2/TiO2复合材料具有优异的光电化学性能,在0 V偏压条件下光响应电流密度为1.17 mA/cm2,是空白样品的3倍,电荷转移电阻从331.6Ω/cm2下降到283.9Ω/cm2.当热处理温度为330℃时,MoSe2会发生团聚,堵塞TiO2基底,使得MoSe2/TiO2吸光能力减弱,综合性能变差.