热蒸发法制备Zn1-x Cdx O纳米管及其生长机制研究

O649; 采用热蒸发纯Zn粉和Cd粉,在湿反应气氛中氧化制备得到掺Cd的ZnO纳米管,其Cd含量为3.3at%. 场发射扫描电镜(FESEM)及高分辨透射电镜(HRTEM)分析表明,大部分纳米管外径约80～150nm,长度达数微米,壁厚约20nm. 通过与相同条件下制备的ZnO纳米结构的室温光致发光谱(PL) 进行对比发现,由于Cd的掺入,Zn1-xCdxO纳米管的紫外近带边峰(UV NBE)从3.26eV红移到3.20eV附近.分析认为,Zn1-xCdxO纳米管遵循气液固(VLS)生长机制,并在此基础上提出Zn1-xCdxO纳米管生长过程,同时指出Kirkendall效应可能对纳米管的形成...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	无机材料学报 2009, Vol.24 (5), p.998-1002
Hauptverfasser:	刘勃, 王发展, 张顾钟, 赵超, 原思聪
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	O649; 采用热蒸发纯Zn粉和Cd粉,在湿反应气氛中氧化制备得到掺Cd的ZnO纳米管,其Cd含量为3.3at%. 场发射扫描电镜(FESEM)及高分辨透射电镜(HRTEM)分析表明,大部分纳米管外径约80～150nm,长度达数微米,壁厚约20nm. 通过与相同条件下制备的ZnO纳米结构的室温光致发光谱(PL) 进行对比发现,由于Cd的掺入,Zn1-xCdxO纳米管的紫外近带边峰(UV NBE)从3.26eV红移到3.20eV附近.分析认为,Zn1-xCdxO纳米管遵循气液固(VLS)生长机制,并在此基础上提出Zn1-xCdxO纳米管生长过程,同时指出Kirkendall效应可能对纳米管的形成起到了重要作用.
ISSN:	1000-324X
DOI:	10.3724/SP.J.1077.2009.00998