Te掺杂对SryCo4Sb12-xTex化合物热电性能的影响

采用熔融法结合SPS烧结技术合成了SryCo4Sb12-xTex化合物,并探讨了Te掺杂对化合物热电性能的影响.采用XRD及EPMA确定了相组成及化学成分,并测试了材料的高温热电性能.实验结果表明,虽然Te掺杂降低了Sr在CoSb3中的填充量,但是与具有相近Sr填充量的基体相比,Te掺杂提高了材料的载流子浓度和电导率,同时也提高了塞贝克系数; Te掺杂由于引入了电子-声子散射,进一步降低了材料的晶格热导率,并且随着Te掺杂量的增加,晶格热导率的降低幅度提高; 对x=0.05的样品Sr0.18Co4Sb11.95Te0.05,在850K时,材料的最大ZT值接近1.0,与具有相近填充量的基体材料相...

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Veröffentlicht in:	Wu ji cai liao xue bao 2009, Vol.24 (4), p.803-807
1. Verfasser:	赵雪盈柏胜强李小亚周燕飞陈立东
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	SryCo4Sb12-xTex化合物 Te掺杂热电传输性能
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	采用熔融法结合SPS烧结技术合成了SryCo4Sb12-xTex化合物,并探讨了Te掺杂对化合物热电性能的影响.采用XRD及EPMA确定了相组成及化学成分,并测试了材料的高温热电性能.实验结果表明,虽然Te掺杂降低了Sr在CoSb3中的填充量,但是与具有相近Sr填充量的基体相比,Te掺杂提高了材料的载流子浓度和电导率,同时也提高了塞贝克系数; Te掺杂由于引入了电子-声子散射,进一步降低了材料的晶格热导率,并且随着Te掺杂量的增加,晶格热导率的降低幅度提高; 对x=0.05的样品Sr0.18Co4Sb11.95Te0.05,在850K时,材料的最大ZT值接近1.0,与具有相近填充量的基体材料相比,ZT值提高了35％.
ISSN:	1000-324X
DOI:	10.3724/SP.J.1077.2009.00803