[100]取向Al-Ti共掺杂ZnO薄膜的制备与光电性能研究

采用常压固相烧结法制备了Al-Ti共掺ZnO靶材,采用射频磁控溅射技术及真空退火工艺,在普通玻璃衬底上制备了具有[100]取向Al-Ti共掺杂ZnO薄膜（ZATO）.采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对ZATO薄膜的生长机理、显微结构、形貌进行了测试分析,用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计及荧光光谱仪对ZATO薄膜的光电性能进行了测试分析.结果表明,ZATO薄膜经500℃保温3h退火后,择优取向由（002）向（100）方向转变;此时,衍射谱上还观察到超点阵衍射线条.[100]取向ZATO薄膜的光学带隙从退火前的3.29降至2.86,平均可见光透过率从90%降至70%,表现为一般的透过性;而电阻率则从1.89×10^-2Ω·cm降至1.25×10^-3Ω·cm,呈现较好的导电性.薄膜中均出现了380nm附近的带边发射（NBE）峰以及410、564nm的深能级发射峰,且经500℃保温3h退火后,这些峰的位置并未改变,但峰强均明显减弱.对上述实验机理进行了分析讨论.